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真空近年来陆续发布了多个型号的TwisTorr分子泵，该系列把分子泵的典型工作范围从高真空扩展到了超高真空。近日，针对一些对压缩比要求不高而气体流量很大的应用，真空又发布了谱拓系列分子泵。该系列包含305FSQ、305-ICQ，以及两个带有中间抽气口的型号305SF和305-ICSF。305FSQ和305SF通过独立的控制器供电和控制，而305-ICQ和305-ICSF具有集成于泵身的控制器，只需要为其提供24V电源即可工作。

很高450sccm的氮气流量

305FSQ和305SF可以处理很大450sccm的氮气流量，和很大500sccm的氢气/氦气流量，在同等抽速和功率的产品中，是要求高气体流量的科研和工业应用的理想选择。而具有集成式控制器的305-ICQ和305-ICSF也可以处理很大380sccm的氮气流量，和很大500sccm的氢气/氦气流量，可以应对绝大多数的仪器应用。

改进的转子结构

谱拓系列分子泵拥有的转子结构：比其他305分子泵增加了一级涡轮叶片，并采用了与其他305分子泵不同的牵引级。牵引级是专为大气载而设计的，它拥有更宽大的气体通道，解决了其他牵引级结构在高负载长期运行时发热集中的问题，可以承受持续的大气体流量，并可将前级耐压提高至16mbar。

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视频作者：广州潽拓光电科技有限公司

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通用的沉积技术有化学气相淀积（CVD）、蒸发和溅射PVD。一般来说，其中还要夹杂低温（≤500℃）退火工艺等热处理工艺，用以增进金属层和半导体之间的低电阻接触、消除内应力等。设备运行过程中需要高洁净的真空环境，一般采用以磁悬浮分子泵为主的无油真空系统。

刻蚀是用化学或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要材料的过程。刻蚀的基本目标是在涂胶的硅片上正确地掩膜图形。现代化的干法刻蚀设备包括复杂的机械、电气和真空系统，同时配有自动化的刻蚀终点检测和控制装置。刻蚀应用工况复杂，清洁性差，充入特种气体种类繁多，因此需要特殊处理的干泵和磁悬浮分子泵。

离子注入设备：离子注入是指在真空环境下，当离子束射向固体材料时，受到固体材料的抵抗而速度慢慢减低下来，并很终停留在固体材料中的现象。离子注入是半导体表面附近区域进行掺杂的主要技术，其目的是改变半导体的载流子浓度和导电类型。离子注入机是集成电路制造工序中的关键设备，需要高清洁的真空环境，以保证离子掺杂浓度和剂量的准确性。

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传统的动平衡技术通过增加额外的质量，例如动平衡配重块，来减少质量分布的不均匀。质量动平衡借助机械加工流程而得到广泛使用，其中包括诸如磨削以及通过钻孔去除材料等工艺。在传统的动平衡过程中，转子的径向偏移是在轴承附近的两个测量层测量的。转子的不平衡度利用一种特殊的算法来确定。为了降低总不平衡程度，转子沿旋转轴分成多个平衡等级，每个等级都有相应的孔。

动平衡配重块沿着各平衡等级的圆周手动拧入。这样就降低了质量分布的不均匀，转子的剩余不平衡度被减少到所需的极限值以下。这里的不平衡度将在多种速度下确定，并逐步完成补偿，从而降低转子的振动并达到额定速度。

近些年来，涡轮分子泵的应用场景越来越多，许多制造领域以前常用低温泵和扩散泵来作为超高真空泵，目前已多被涡轮分子泵所取代。此外，随着相关应用领域对工作环境的要求越发严苛，对涡轮分子泵也提出了更高要求，特别是在次级特性方面。因此，高速转子一直需要进一步开发，包括转子的使用寿命、振动水平（即泵壳上发出的声响和振动），以及基于部件表面脱气性能方面的洁净度指标。

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