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分子泵入口应装设防护网,以避免异物进入泵内损坏泵转子和定子叶片。抽气系统装有单独粗抽管路的涡轮分子泵抽气系统的操作方法与扩散泵抽气系统相似。在开始粗抽以前,高真空阀和粗抽阀是关着的,而前级管道阀是打开的。首先关闭前级阀,启动粗抽泵(兼前级泵),打开粗抽阀开始对真空室进行抽气。在真空室内的压力降到150~100Pa时关闭粗抽阀,打开前级管道阀,再启动涡轮分子泵(需先接通冷却系统)。
如果分子泵入口处装有液氮冷阱,则应在泵加速到额定转速后(一般需5~10min)加注液氮。1-涡轮分子泵;2-液氮冷阱;3-放气阀;4-电离规;5-热传导规;6-粗抽阀;7-机械泵;8-前级管路阀;9-高真空阀。图1 典型涡轮分子泵抽气系统粗抽系统的配置随真空室的容积大小而有所不同。对500L/s或更小的涡轮分子泵来说,可采用一台双级旋片泵;1000L/s以上的涡轮分子泵则采用以机械泵为前级泵的罗茨泵机组。
在压力为100到150Pa时关闭粗抽阀,把真空室切换到涡轮分子泵上。对某些泵,这样做会引起轻微而滞后的瞬时减速,但这对抽气并无影响。正如扩散泵抽气系统那样,涡轮分子泵系统中的很主要的物质是水蒸气,其臭气时间将受液氮冷阱抽速的支配。如果不用液氮冷阱,那么这个系统抽除水蒸气的速度就会比同样抽速的无冷阱扩散泵略慢一些。
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当时现行标准的分子泵不能直接用到圆排机上,因为圆排机的工况,工作过程中灯管不可避免地会产生漏气和破损而产生的压力高、大气流的冲击和碎屑等的情况。鉴于此,由公司专项研制高压强分子泵,由上海涌真机械有限公司实施圆排车制造替换谱拓泵,把公司研制的分子泵应用在上海正贝照明制造的圆排车上,进行的替代设计制造。
此后,公司成功研制出FF-160/500G分子泵,其技术参数详见表1。表1 FF-160/500G复合分子泵技术参数替换方案此前圆排机上的两套分别为:一台ZJP150谱拓泵和TRP-16一台真空泵和凯尼ZJ150谱拓泵和爱发科VD401真空泵的谱拓真空组。左:普通分子泵;右:高压强分子泵替换方案为:一套由一台KYKY公司的FF160/500G分子泵,前级为北仪优成的TRP-60或TRP-48真空泵,过渡真空室、接管、真空测量系统组成的机组(简称分子泵机组)。
现一台分子泵机组拖7工位,可增至10个工位。原两台拖7工位。表2 工作监控情况及对比数据表实际效果对比分析分子泵机组比抽气速率大,真空度高近一个数量级。而且相较而言,分子泵机组的噪音更小,占地面积更小。在运转费用方面,按一年280天计算,每天24h,全年就是6720h。单位:元
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通用的沉积技术有化学气相淀积(CVD)、蒸发和溅射PVD。一般来说,其中还要夹杂低温(≤500℃)退火工艺等热处理工艺,用以增进金属层和半导体之间的低电阻接触、消除内应力等。设备运行过程中需要高洁净的真空环境,一般采用以磁悬浮分子泵为主的无油真空系统。
刻蚀是用化学或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要材料的过程。刻蚀的基本目标是在涂胶的硅片上正确地掩膜图形。现代化的干法刻蚀设备包括复杂的机械、电气和真空系统,同时配有自动化的刻蚀终点检测和控制装置。刻蚀应用工况复杂,清洁性差,充入特种气体种类繁多,因此需要特殊处理的干泵和磁悬浮分子泵。
离子注入设备:离子注入是指在真空环境下,当离子束射向固体材料时,受到固体材料的抵抗而速度慢慢减低下来,并很终停留在固体材料中的现象。离子注入是半导体表面附近区域进行掺杂的主要技术,其目的是改变半导体的载流子浓度和导电类型。离子注入机是集成电路制造工序中的关键设备,需要高清洁的真空环境,以保证离子掺杂浓度和剂量的准确性。
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